Mengubah Efisiensi Penyimpanan

Intel® 3D NAND Technology memperpanjang kepemimpinan kami di bidang memori flash dengan arsitektur yang dirancang untuk kapasitas dan performa lebih tinggi, sebuah proses manufaktur yang terbukti memberikan percepatan transisi dan penskalaan, serta ekspansi portofolio yang cepat untuk sekian banyak segmen pasar.

Kapasitas Penyimpanan yang Dimungkinkan oleh Inovasi Intel®

Intel memperkenalkan SSD PCIe* pertama di dunia dengan Intel® QLC Technology. Intel® QLC 3D NAND Technology memberikan area densitas tinggi hingga 33%1 daripada 3D NAND pendahulunya. Teknologi ini juga memiliki fitur unik akselerasi PCIe*, untuk memberikan paduan performa, kapasitas, dan nilai - yang menjadikannya solusi penyimpanan cerdas baik bagi pusat data maupun pasar klien.

Intel® QLC Technology memanfaatkan 3D NAND saat ini, dengan struktur 64-layer yang sudah terbukti, dan memberi beberapa bit tambahan pada setiap sel yang menyediakan 4 bit/sel (QLC), sehingga menjadikannya memori flash dengan densitas tertinggi di dunia. Selain itu, teknologi ini menggunakan sebuah sel floating gate karena merupakan metode penyimpanan rendah-biaya yang bisa diandalkan. Akhirnya, Intel® QLC Technology dipasangkan dengan teknologi PCIe*- (NVMe*), untuk memberikan manfaat performa hingga 4x daripada antarmuka SATA.2

Persiapkan masa depan bersama Intel QLC dengan berbasis teknologi Intel® yang bisa diandalkan dan didukung oleh kepemimpinan manufaktur Intel.

Baca makalah

Akhirnya, Performa SSD Berpadu dengan Nilai Bisnis Besar

Untuk pusat data, Intel® QLC 3D NAND Technology secara radikal menyusutkan ukuran ruang memori yang digunakan (footprint) sistem HDD.3 Semakin sedikitnya sistem yang harus dipelihara menghasilkan penghematan daya dan pendinginan4, juga sekaligus mengurangi biaya modal dan operasi yang dikaitkan dengan penggantian drive.5 Dan walaupun footprint menurun, performa meningkat.6 Akselerasi PCIe* meningkat pesat melalui bottleneck SATA 7, sehingga menghasilkan tenaga penuh QLC. Bila dipasangkan dengan teknologi Intel® Optane™, produk pusat data Intel® 3D NAND Technology akan menghasilkan performa yang jauh lebih baik 2, yang mempercepat akses ke data yang paling dibutuhkan.

Berbuat lebih banyak, menyimpan lebih banyak, dan berhemat lebih banyak dengan Intel® SSD D5-P4320 Series, Intel® SSD D5-P4326 Series, and Intel® SSD D5-P4420 Series. Saat ini dipasarkan dalam jumlah terbatas.

Kehebatan Kini Terjangkau

Intel® QLC 3D NAND Technology memungkinkan konsumen untuk mengatasi kebutuhan penyimpanan saat ini dan mempersiapkan pertumbuhan tuntutan di masa depan. SSD klien menyimpan lebih banyak data daripada penyimpanan berbasis TLC, yang memungkinkan kapasitas 2x lebih banyak pada footprint yang sama.1 Hanya Intel yang menggabungkan teknologi terobosan ini dengan PCIe* untuk menghasilkan performa PCIe* yang terjangkau.

Belanja SSD Intel® QLC 3D NAND

Dirancang untuk Kapasitas dan Reliabilitas

Intel® 3D NAND Technology adalah respons inovatif terhadap pertumbuhan tuntutan industri akan kapasitas penyimpanan data. Dibandingkan dengan solusi NAND lain yang tersedia, Intel® 3D NAND Technology dirancang berdasarkan arsitektur floating gate dengan ukuran sel yang lebih kecil dan susunan memori yang sangat efisien, sehingga memungkinkan solusi kapasitas yang lebih tinggi dan reliabilitas tinggi dengan perlindungan yang kuat terhadap kehilangan muatan.

Kepemimpinan Inovasi

Terobosan 64-Layer

Intel menerapkan pengalaman 30 tahun dalam sel flash untuk transisi NAND dari 2D ke 3D, sel multi level (MLC) ke sel trilevel (TLC), dan 32-layer ke teknologi 64-layer terobosan kami. Semua ini dilakukan untuk menghasilkan densitas area tertinggi8 dan meningkatkan kapasitas di solusi 3D NAND secara cepat.

Portofolio Ekspansif

Berdasarkan Proses yang Terbukti

Dengan teknologi 3D NAND, Intel menghasilkan kemampuan inovatif bernilai tinggi ke dalam portofolio beragam produk. Pengalaman kami merancang arsitektur ini ke dalam solusi SSD memungkinkan kami memperbaiki performa, konsumsi daya, konsistensi performa, dan reliabilitas pada setiap generasi dengan cepat.

Skalabilitas Manufaktur

Memungkinkan Peluang Disruptif

Intel menggunakan proses manufaktur yang telah terbukti selama beberapa dekade output volume yang tinggi untuk membangun teknologi 3D NAND. Dengan sinergi generasional yang kuat di seluruh jaringan pabrik kami, Intel berharap untuk meningkatkan kapasitas 3D NAND lebih cepat daripada pasar, sehingga memungkinkan kami menghasilkan total biaya kepemilikan disruptif dan akselerasi aplikasi ke basis pelanggan kami.

Informasi Produk dan Performa

1

TLC (tri-level cell) berisi 3 bit per sel dan QLC (quad level cell) berisi 4 bit per sel. Dihitung sebagai (4-3)/3 = 33% lebih banyak bit per sel.

2

Cluster vSAN 4 node – konfigurasi sistem 1 node: Model server: Intel Purley S2600WF (R2208WFTZS); MB: H48104-850; CPU: Prosesor ganda Intel® Xeon® Gold 6142 2,6 G, 16C/32T, 10,4 GT/s, Cache 22 M, Turbo, HT (150W) DDR4-2666; Mem: RDIMM 16 GB, 2666 MT/s, Dual Rank x16; NIC: Intel X520-DA2 10 GbE SFP+ DAC dan Intel X722 10 GbE LAN terpasang. Semua konfigurasi TLC: 2x Intel® SSD Data Center P4610 Series 1,6 TB untuk caching dan 4x Intel® SSD Data Center P4510 Series 4,0 TB untuk penyimpanan kapasitas; Intel® Optane™ SSD DC P4800X 375 GB untuk caching dan 2x Intel® SSD D5-P4320 Series 7,68 TB untuk kapasitas penyimpanan. 2 Beban Kerja: HCIBench: https://labs.vmware.com/flings/hcibench. Jumlah VM: 16, Jumlah Disk Data: 8, Ukuran Disk Data: 60 Jumlah Disk yang Diuji: 8, Persentase Set Kerja: 100, Jumlah Thread Per Disk: 4, Ukuran Blok: 4K, Persentase Pembacaan: 70, Persentase Acak: 50, Waktu Uji: 3600. Hasil: Konfig P4610+P4510 = 83.451 IOPS @ latensi 6,3 md. Konfig P4800x+P43220 = 346.644 IOPS @ latensi 1,52 md.

3

Membandingkan WD Gold TB Enterprise class 7200 RPM HDD 4 TB 3,5’ yang memungkinkan hingga 24 HDD per 2U serta total 20U dan 960 TB dengan 30,72 TB E1.L Intel® SSD D-5 P4326 (tersedia pada tanggal mendatang) yang memungkinkan hingga 32 per 1U dan total 1U dan 983 TB. Jadi 20 unit rak menjadi 1 unit rak.

4

Penghematan biaya Daya, Pendinginan, Konsolidasi. Berdasarkan HDD: HDD 4 TB 7,2 K RPM, AFR 2,00% dan daya aktif 7,7 W, 24 drive pada 2U (total daya 1971 W) https://www.seagate.com/files/www-content/datasheets/pdfs/exos-7-e8-data-sheet-DS1957-1-1709US-en_US.pdf SSD: daya aktif 22 W 44% AFR, 32 drive pada 1U (total daya 704 W); Biaya pendinginan berdasarkan penggunaan selama 5 tahun dengan biaya Kwh sebesar $0,158 dan jumlah watt untuk mendinginkan 1 watt 1,20 Berdasarkan 24 drive HDD 2U 3,5” dan 32 drive 1U EDSFF 1U Long. Penyimpanan hibrida berdasarkan pada penggunaan Intel® TLC SSD untuk cache.

5

Penghematan biaya penggantian drive. Perhitungan: HDD 2% AFR x 256 drive x 5 tahun = 25,6 penggantian dalam 5 tahun; SSD: 0,44% AFR x 32 drive x 5 tahun = 0,7 penggantian dalam 5 tahun.

6

Membandingkan IOPS pembacaan acak 4K dan Kedalaman Antrean 32 antara Intel® SSD D5-P4320 Series dan HDD Toshiba N300. 175.000 IOPS: Data yang diukur dari SSD Intel® SSD D5-P4320 Series 7,68 TB. IOPS pembacaan acak 4K; Kedalaman Antrean 32. 532 IOPS: Berdasarkan benchmark Tom’s Hardware untuk HDD Toshiba N300 8 TB 7,2K RPM. IOPS pembacaan acak 4K; Kedalaman Antrean 32: https://www.tomshardware.com/reviews/wd-red-10tb-8tb-nas-hdd,5277-2.html. Jadi IOPS pembacaan acak 4K adalah 329X lebih baik.

7

IOPS PCIe* berdasarkan simulasi pembacaan acak 4K, kedalaman antrean 256, estimasi performa yang dilakukan oleh Intel untuk PCIe* Intel® SSD D5-P4320 Series/Intel® SSD D5-P4326 Series berdasarkan SSD QLC dengan kapasitas yang berbeda: 3,84 TB; 7,68 TB; 15,36 TB, dan 30,72 TB. IOPS SATA diatur ke 100K IOPS untuk semua poin kapasitas berdasarkan 100K IOPS sebagai nilai maks yang memungkinkan untuk SSD berbasis SATA yang kompetitif saat ini dari Micron. Lembar data Micron 5200 Series NAND Flash SSD menunjukkan IOPS QD32 pembacaan acak 4K maks dari IOPS 95K untuk SKU 3,84 TB dan 7,68 TB.

8

Membandingkan densitas area data terukur Intel pada Intel® 3D NAND 512 GB dengan beberapa pesaing perwakilan berdasarkan makalah 2017 IEEE International Solid-State Circuits Conference yang menyebutkan ukuran keping Samsung Electronics dan Western Digital/Toshiba untuk komponen 3D NAND 64 tumpuk.