Node Proses Intel 18A
Kemajuan terbaru dalam teknologi proses Intel Foundry, menghadirkan RibbonFET dan pengiriman daya belakang PowerVia yang pertama di industri, memberdayakan pelanggan untuk membuat desain terobosan.
Intel 18A Kini Siap
Intel 18A sekarang siap untuk proyek pelanggan dengan tape out dimulai pada paruh pertama tahun 2025: Hubungi kami untuk informasi lebih lanjut.
Diferensiasi Intel 18A
- Performa per watt hingga 15% lebih baik dan densitas chip 30% lebih baik dibandingkan node proses Intel 3.1
- Node canggih sub-2nm paling awal yang tersedia diproduksi di Amerika Utara, menawarkan alternatif pasokan yang tangguh bagi pelanggan.
- Teknologi pengiriman daya belakang PowerVia yang pertama di industri, meningkatkan densitas dan pemanfaatan sel sebesar 5 hingga 10 persen dan mengurangi penurunan pengiriman daya resistif, menghasilkan peningkatan performa daya ISO hingga 4 persen dan sangat mengurangi penurunan resistansi bawaan (IR) dibandingkan desain daya sisi depan.2
- Teknologi transistor gate-all-around (GAA) RibbonFET, memungkinkan kontrol arus listrik yang tepat. RibbonFET memungkinkan miniaturisasi komponen chip lebih lanjut sekaligus mengurangi kebocoran daya, yang menjadi perhatian penting untuk chip yang semakin padat.
- Kapasitor HD MIM, secara signifikan mengurangi daya induktif yang terkulai, meningkatkan operasi chip yang stabil. Kemampuan ini sangat penting untuk beban kerja modern seperti AI generatif, yang memerlukan daya komputasi yang tiba-tiba dan intens.
- Dukungan penuh untuk alat EDA standar industri dan alur referensi, memungkinkan transisi yang lancar dari node teknologi lainnya. Dengan mitra EDA yang menyediakan alur referensi, pelanggan kami dapat mulai merancang dengan PowerVia terlebih dahulu dari solusi daya belakang lainnya.
- Kumpulan kuat lebih dari 35 mitra ekosistem terkemuka di industri, mulai dari EDA, IP, layanan desain, layanan cloud, serta kedirgantaraan dan pertahanan, membantu memastikan pemberdayaan pelanggan yang luas untuk lebih memudahkan adopsi.
PowerVia
Seiring meningkatnya densitas transistor, sinyal campuran dan perutean daya menciptakan kemacetan yang dapat menurunkan performa. Teknologi PowerVia pertama di industri dari Intel Foundry memindahkan logam pitch kursus dan tonjolan ke sisi belakang die dan menyematkan via-silicon vias (nano-TSV) skala nano di setiap sel standar untuk distribusi daya yang efisien.
PowerVia meningkatkan penggunaan sel standar sebesar 5-10% dan performa daya ISO hingga 4%.2
RibbonFET
RibbonFET memungkinkan kontrol ketat atas arus listrik di saluran transistor, memungkinkan miniaturisasi komponen chip lebih lanjut sekaligus mengurangi kebocoran daya, yang menjadi perhatian penting karena chip menjadi semakin padat.
RibbonFET meningkatkan kinerja per watt, operasi tegangan minimum (Vmin), dan elektrostatik, memberikan keunggulan kinerja yang signifikan. RibbonFET juga menyediakan tingkat tunabilitas yang tinggi melalui lebar pita yang bervariasi dan jenis tegangan ambang batas ganda (Vt).
Aplikasi dan Kasus Penggunaan
HPC & AI
Untuk aplikasi yang membutuhkan tingkat kinerja tertinggi dengan efisiensi daya tinggi, kontrol saluran superior RibbonFET memberikan peningkatan kinerja transistor per watt dengan arus dan penskalaan drive tinggi.
Pemrosesan Sinyal Gambar, Video, dan Visi dengan AI
PowerVia dapat memiliki dampak signifikan pada desain produk dalam aplikasi industri, di mana penurunan IR yang berkurang, perutean sinyal yang ditingkatkan, dan pemanfaatan sel sisi depan yang lebih baik berkontribusi pada pengurangan kehilangan daya yang signifikan. Pengurangan area RibbonFET memungkinkan lebih banyak fungsi dalam chip yang lebih kecil, bermanfaat untuk sensor medis dan industri yang ringkas.
Prosesor Mobile dan Baseband
Untuk mengatasi kebutuhan unik aplikasi mobile, Intel menawarkan node proses Intel 18A-P yang dioptimalkan. Teknik manufaktur canggih kami membantu memastikan kinerja yang konsisten dan andal, sementara tegangan ambang batas yang disesuaikan memberikan efisiensi daya yang luar biasa. Ini berkontribusi pada peningkatan keseluruhan dalam masa pakai baterai untuk perangkat seluler.
Kedirgantaraan dan Pertahanan
Kasus penggunaan kedirgantaraan dan pertahanan baru menuntut peningkatan daya komputasi, seringkali dengan persyaratan ukuran, berat, daya, dan biaya (SWaP-C) yang ketat. Penurunan IR rendah Intel 18A memberikan efisiensi yang diperlukan untuk aplikasi dengan daya terbatas sekaligus menghadirkan performa yang ditingkatkan.
Aliansi Ekosistem Intel® Foundry Accelerator
Nikmati dukungan komprehensif di area utama dari mitra ekosistem Intel Foundry Accelerator di seluruh EDA, IP, Layanan Desain, Layanan Cloud, dan Aliansi MAG AS.
Intel 18A Beraksi
Prosesor server Clearwater Forest menunjukkan potensi Intel 18A yang dikombinasikan dengan teknologi pengemasan canggih Intel Foundry.
Selebihnya dari Intel Foundry
Manufaktur Global
Intel 18A dihadirkan melalui jaringan manufaktur kami yang andal, berkelanjutan, aman, dan berlaku di seluruh dunia.
Pengujian dan Kemasan Canggih
Intel Foundry menawarkan interkoneksi canggih, kepemimpinan dalam kemasan 2D, 2.5D, dan 3D, serta layanan perakitan dan pengujian yang komprehensif.
Portal Intel Foundry
Informasi Produk dan Kinerja
Berdasarkan analisis internal Intel yang membandingkan Intel 18A dengan Intel 3 per Februari 2024. Hasil mungkin berbeda.
Isi halaman ini adalah kombinasi terjemahan manusia dan komputer dari konten berbahasa Inggris. Konten ini diberikan hanya untuk kenyamanan Anda serta sebagai informasi umum dan tidak bisa dianggap sebagai lengkap atau akurat. Jika terdapat kontradiksi antara versi bahasa Inggris halaman ini dan terjemahannya, versi bahasa Inggris akan didahulukan. Lihat versi bahasa Inggris halaman ini.