Terinspirasi Cloud. Performa yang Dioptimalkan.

Kesimpulan

  • Teknologi Intel® 3D NAND TLC 144 lapis generasi berikutnya

  • Mempercepat berbagai beban kerja pusat data cloud dengan latensi yang lebih rendah

  • Meningkatkan keamanan dan kemudahan pengelolaan perusahaan

  • Responsivitas di bawah I/O campuran

BUILT IN - ARTICLE INTRO SECOND COMPONENT

Memenuhi persyaratan performa, kemudahan pengelolaan, dam I/O pusat data saat ini untuk berbagai beban kerja.

Dirancang dengan teknologi Intel® 3D NAND TLC 144 lapis, Intel® SSD Seri D7-P5510 menawarkan performa dan kapasitas yang dioptimalkan untuk susunan all-flash dan dirancang untuk efisiensi IT dan keamanan data tingkat lanjut. Intel® SSD Seri D7-P5510 mencakup kontroler dan firmware Intel PCIe 4.0 yang memberikan latensi rendah, kemampuan pengelolaan tingkat lanjut, skalabilitas, dan fitur NVMe baru yang penting untuk lingkungan Perusahaan dan Cloud.

Tersedia dalam faktor bentuk U.2 15 mm, SSD ini ditawarkan dengan ukuran 3,84 TB dan 7,68 TB dengan daya tahan tulis hingga 1 drive per hari (DWPD).

Tingkatkan Performa dengan Latensi yang Lebih Rendah

Intel® SSD Seri D7-P5510 memberikan performa yang diprediksi cukup cepat dan dapat mengakselerasi susunan all-flash secara signifikan. Seri D7-P5510 yang dioptimalkan performanya memberikan performa baca berurutan hingga 2X lebih tinggi,1 latensi 50% lebih rendah,2 dan 50% peningkatan dalam IOPS beban kerja campuran (70% baca, 30% tulis)3 dibandingkan generasi Intel® SSD sebelumnya.

Arsitektur TRIM baru lebih lanjut meningkatkan performa pada beban kerja real-time tempat perintah pengelolaan set data digunakan. Arsitektur TRIM yang dioptimalkan kini berjalan sebagai proses latar belakang tanpa mengganggu beban kerja, meningkatkan performa dan QoS selama beberapa TRIM yang terjadi bersamaan. Proses TRIM ditingkatkan dengan amplifikasi tulis yang dikurangi yang membantu drive memenuhi tujuan ketahanannya.

Peningkatan Firmware untuk Performa Drive, Efisiensi IT, Keamanan Data, dan Kemudahan Pengelolaan

Intel® SSD Seri D7-P5510 mencakup berbagai peningkatan firmware yang secara khusus dirancang untuk meningkatkan efisiensi IT dan keamanan data di dalam dunia yang semakin berpusat pada data.

Beberapa ruang nama yang dinamis meningkatkan penyediaan runtime dan pengelolaan penyimpanan. Overprovision drive dengan ruang nama tunggal yang lebih kecil untuk meningkatkan daya tahan dan performa tulis acak.4

  • Format LBA yang diperluas mendukung fleksibilitas untuk menjadi host perangkat lunak untuk meneruskan metadata dan informasi perlindungan beserta data payload. Intel® SSD Seri D7-P5510 mendukung VSS dengan ukuran sektor berikut: 512/520/4096/4104/4160 B.
  • Scatter Gather List (SGL) meningkatkan performa dengan menghilangkan kebutuhan untuk penyelarasan data di host.
  • Pemantauan SMART yang disempurnakan, yang melaporkan status kesehatan drive tanpa mengganggu aliran data I/O menggunakan mekanisme in-band dan akses out-of-band.
  • Uji Mandiri Perangkat meningkatkan pengalaman pelanggan dengan memastikan bahwa perangkat beroperasi sebagaimana yang diharapkan. Sistem host dapat meminta perangkat penyimpanan (SSD) untuk melakukan pengujian guna memastikan bahwa perangkat berfungsi dengan baik termasuk pemeriksa SMART, Pencadangan Memori Volatil, integritas NVM, dan masa pakai Drive.
  • Telemetry membuat berbagai data yang tersimpan dapat diakses dan mencakup pelacakan dan pencatatan kesalahan dengan cerdas. Hal ini meningkatkan keandalan dalam menemukan dan memitigasi masalah serta mendukung percepatan siklus kualifikasi—yang semuanya dapat menghasilkan peningkatan efisiensi IT.
  • Mendukung fitur keamanan tambahan seperti TCG Opal 2.0, Configurable Namespace Locking, Sanitize, dan Format NVM.
  • Skema perlindungan Power-Loss imminent (PLI) dengan uji mandiri bawaan, menjaga agar tidak kehilangan data jika daya sistem tiba-tiba hilang. Dipadukan dengan skema perlindungan jalur data end-to-end yang terkemuka di industri,5 fitur PLI juga memungkinkan kemudahan penerapan ke dalam pusat data yang tangguh di mana tidak ada toleransi untuk kerusakan data dari gangguan tingkat sistem.

Pemimpin Industri Teknologi NAND

Teknologi 3D NAND 144 lapis dari Intel menghadirkan densitas area6 dan retensi data yang terdepan di industri,7 memungkinkan pelanggan perusahaan dengan percaya diri menskalakan susunan penyimpanan guna memenuhi kebutuhan mereka yang terus meningkat. Adopsi infrastruktur hiperkonvergensi berbasis perangkat lunak yang cepat meningkatkan persyaratan untuk memaksimalkan efisiensi, merevitalisasi perangkat keras yang ada, dan meningkatkan ketangkasan server—sembari menjaga keandalan operasional.

Produsen server perusahaan terbaik telah merespons dengan secara terbuka menerima SSD berbasis PCIe/NVMe dengan performa yang dapat diskalakan, latensi rendah, dan inovasi berkelanjutan. Memenuhi permintaan beban kerja intensif I/O yang meningkat, termasuk AI dan Analisis, telah menjadi elemen inti untuk strategi perusahaan mana pun.

Sekilas Tentang Fitur

Model Intel® SSD D7-P5510
Kapasitas dan Faktor Bentuk U.2 15 mm: 3,84 TB, 7,68 TB
Antarmuka PCIe 4.0 x4, NVMe 1.3c
Media Teknologi Intel® 3D NAND, 144 lapis, TLC
Performa Baca/Tulis Berurutan 128 K hingga 7.000/4.194 MB/dtk
Baca/Tulis 4 KB Acak hingga 930 K/190 K IOPS
Daya Tahan 1 DWPD (hingga 14 PBW)
Keandalan

UBER: 1 sektor per 1017 bit pembacaan

MTBF: 2 juta jam

Daya

Tulis Aktif Rata-Rata Maks: 18 W

Siaga: 5 W

Garansi Garansi terbatas 5 tahun

Infrastruktur Penyimpanan untuk AI

Mempercepat beban kerja penyimpanan yang sangat bervariasi sekaligus meningkatkan efisiensi penyimpanan merupakan hal krusial untuk mewujudkan nilai AI sepenuhnya. Pelajari cara memulai pembangunan saluran penyimpanan data AI yang dipercepat, efisien, dan dapat diskalakan.

Modernisasi penyimpanan Anda agar siap untuk AI

Intel® Solid State Drive


Pelajari teknologi yang sedang dikembangkan untuk mendorong inovasi dalam bidang penyimpanan.

Pemberitahuan dan Pelepasan Tanggung Jawab8

Konfigurasi untuk catatan kaki 1-3: estimasi dan Konfigurasi Sistem: Mainboard: Board Server Intel® S2600WFT, Versi: R2208WFTZS, BIOS: SE5C620.86B.00.01.0014.070920180847, Arsitektur platform: x86_64, CPU: Intel® Xeon® Gold 6140 CPU @ 2,30 GHz, Soket CPU: 2, Kapasitas RAM 32 GB, Model RAM: DDR4, Versi OS: centos-release-7-5, Build id: 1804, kernel: 4.14.74, Driver NVMe: Inbox, Versi Fio: 3.5, Switch PCIe 4.0 dari Microsemi digunakan. P5510 diuji pada firmware JCV10100 dan P5316 diuji pada firmware ACV10005.

Informasi Produk dan Performa

1

Performa Pembacaan Berurutan Hingga 2,00x Lebih Baik - Klaim berdasarkan Pembacaan Berurutan Intel® SSD D7-P5510 128 KB (7,0 GB/s) dibandingkan dengan Pembacaan Berurutan Intel® SSD DC P4510 128 KB (3,20 GB/s). Tanggal Pengujian: Oktober 2020.

2

Latensi Hingga 50% Lebih Baik – Klaim berdasarkan Beban Kerja 75/25 Acak 4 KB pada 6 (9s). Intel® SSD D7-5510 (1100us) memiliki latensi 50% lebih baik dibandingkan Intel® SSD DC P4510 (2539us). Tanggal Pengujian: Oktober 2020.

3

IOPS Beban Kerja Campuran Hingga 50% Lebih Baik- Klaim berdasarkan Intel® SSD D7-P5510, 7,684 TB 4 KB campuran 70/30 (400 K) dibandingkan Intel® SSD DC P4510, 8 TB (266 K). Tanggal Pengujian: Oktober 2020.

4

 Manfaat overprovision drive dengan ruang nama tunggal yang lebih kecil dapat ditemukan melalui artikel berikut: https://www.intel.com/content/dam/www/public/us/en/documents/white-papers/over-provisioning-nand-based-ssds-better-endurance-whitepaper.pdf.

5

Sumber – Los Alamos. Drive diuji di sumber: Los Alamos Neutron Science Center, https://lansce.lanl.gov/facilities/wnr/index.php. Faktor akselerasi neutron 10^6. Pengujian dilakukan pada SSD port tunggal, drive Intel® SSD DC S3520, Intel® SSD DC P3520, Intel® SSD DC P3510, Intel® SSD DC P4500, Intel® SSD DC S4500, Intel® SSD DC P4800X, Intel® SSD D7-P55XX, Intel® SSD D7-P56XX, Samsung PM953, Samsung PM1725, Samsung PM961, Samsung PM863, Samsung PM963, Samsung 860DCT, Samsung PM883, Samsung PM983, Micron 7100, Micron 510DC, Micron 9100, Micron 5100, Micron 5200, HGST SN100, Seagate 1200.2, SanDisk CS ECO, Toshiba XGS, Toshiba Z6000. Nol kerusakan data yang tidak terdeteksi yang diukur di drive port tunggal Intel® menandakan waktu pengukuran kumulatif > 5 juta jam. Radiasi neutron digunakan untuk menentukan tingkat kerusakan data yang tidak terdeteksi dan sebagai ukuran efektivitas perlindungan data keseluruhan. Di antara beberapa penyebab kerusakan data dalam kontroler SSD adalah radiasi ionisasi, dan ketidakstabilan SRAM. Kesalahan tidak terdeteksi diukur pada waktu operasi dan pasca reboot setelah drive “hang” dengan membandingkan data yang diperkirakan vs data sebenarnya yang dihasilkan drive. Tingkat kerusakan data per tahun diproyeksikan dari tingkat selama percepatan pengujian dibagi dengan percepatan sinar (lihat standar JEDEC JESD89B/C).

6

Sumber: ISSCC 2015, J. Im; ISSCC 2017 R Yamashita; ISSCC 2017 C Kim; ISSCC 2018; H. Maejima; ISSCC 2019 C. Siau.

7

Pengukuran dilakukan pada komponen SSD yang menggunakan floating gate dan teknologi charge trap flash. Platform pengukuran yang digunakan adalah sistem tes Teradyne Magnum 2 Memory dan pemrograman menggunakan pola acak dan margin dikuantifikasi menggunakan perintah pelanggan. Data diukur pada 08/2019.

8

Performa bervariasi berdasarkan penggunaan, konfigurasi, dan faktor lainnya. Pelajari lebih lanjut di www.Intel.co.id/PerformanceIndex.

Hasil performa berdasarkan pengujian per tanggal yang diperlihatkan dalam konfigurasi dan mungkin tidak mencerminkan semua pembaruan keamanan yang tersedia untuk umum. Lihat cadangan untuk detail konfigurasi. Tidak ada produk atau komponen yang bisa sepenuhnya aman.

Biaya dan hasil Anda mungkin berbeda.

Intel tidak mengontrol atau mengaudit data pihak ketiga. Anda harus mempertimbangkan sumber lainnya untuk mengevaluasi akurasi.

Teknologi Intel mungkin memerlukan perangkat keras, perangkat lunak, atau aktivasi layanan pendukung.