Info Penting

Kapasitas
1 TB
Status
Launched
Tanggal Peluncuran
Q2'19
Kondisi Penggunaan
PC/Client/Tablet

Spesifikasi Performa

Baca Berurutan (hingga)
2400 MB/s
Tulis Berurutan (hingga)
1800 MB/s
Random Read (8GB Span) (up to)
330000 IOPS (4K Blocks)
Random Write (8GB Span) (up to)
250000 IOPS (4K Blocks)
Daya - Aktif
5.8W
Daya - Siaga
L1.2 : <13mW

Keandalan

Vibrasi - Operasi
2.17 GRMS (5-700 Hz) Max
Getar - Non-Operasi
3.13 GRMS (5-800 Hz) Max
Kejutan Listrik (Operasi dan Non-Operasi)
1000 G / 0.5 ms and 1500 G / 0.5 ms
Rentang Suhu Operasi
0°C to 70°C
Suhu Operasi (Maksimum)
70 °C
Suhu Operasi (Minimum)
0 °C
Peringkat Daya Tahan (Tulis Seumur Hidup)
300 TBW
Waktu Rata-rata Antara Kegagalan
1.6 Million Hours
Rata-rata Bit Error Tidak Terkoreksi
< 1 sector per 10^15 bits read
Periode Garansi
5 yrs

Informasi Tambahan

Deskripsi Produk
URL Informasi Tambahan
Keterangan
Introducing the new Intel® Optane™ Memory H10 with Solid State Storage which combines two breakthrough technologies, Low-latency Intel® Optane™ technology and high-density Intel® QLC 3D NAND in a single M.2 2280 form factor.

Spesifikasi Paket

Berat
Less than 10 grams
Bentuk dan Ukuran
M.2 22 x 80mm
Antarmuka
PCIe 3.0 x4, NVMe

Teknologi Canggih

Perlindungan Data Lanjutan Saat Daya Terputus
Ya
Pemantauan dan Pencatatan Suhu
Ya
Perlindungan Data Ujung-ke-Ujung
Ya
Intel® Rapid Start Technology
Ya