Teknologi 22 nm Intel®

Transistor 3D pertama di dunia yang siap untuk diproduksi dalam volume tinggi.

3D, 22 nm: Gabungan Kinerja dan Efisiensi Daya

Pada tahun 2011, Intel memimpin industri dengan diperkenalkannya teknologi yang benar-benar berbeda secara mendasar untuk rangkaian mikroprosesor: transistor 3D yang diproduksi pada 22 nm.

Sebelumnya, transistor, inti mikroprosesor, merupakan perangkat 2D (planar). Transistor Tri-Gate Intel® 3D, dan kemampuannya untuk diproduksi dalam volume tinggi, menandai perubahan drastis pada struktur dasar chip komputer. Menambah saluran transistor ke dalam dimensi ketiga meningkatkan kontrol transistor, memaksimalkan aliran arus (untuk kinerja terbaik) saat dihidupkan, dan meminimalkannya (mengurangi kebocoran) saat dimatikan.

Transistor ini memungkinkan Intel untuk terus memberi daya pada produk-produk kelas dunia, dari superkomputer yang cepat hingga perangkat genggam yang sangat kecil.

Transistor adalah Dasarnya

Ukuran dan struktur transistor adalah pilar teknologi utama dalam memberikan manfaat Hukum Moore kepada pengguna akhir. Semakin kecil dan semakin efisien daya transistor, umumnya akan semakin baik. Sesuai perkiraan, Intel terus menyusutkan teknologi produksinya dalam serangkaian yang terbaik di dunia: 45 nm dengan high-k/metal gate pada tahun 2007; 32 nm pada tahun 2009; dan sekarang 22 nm dengan transistor 3D pertama di dunia dalam prosesor logika volume tinggi di awal 2011; dan 14 nm dengan transistor tri-gate 3D Generasi ke-2 pada tahun 2014.

Kemajuan teknologi transistor secara berkelanjutan memungkinkan Intel untuk merancang prosesor yang jauh lebih bertenaga dengan efisiensi daya yang luar biasa. Prosesor baru ini memungkinkan mikroarsitektur inovatif, desain System on Chip (SoC), dan produk baru—dari server dan PC hingga smartphone, dan produk konsumen inovatif.

Cari Tahu Bagaimana Intel Membuat Chip 22 nm dari Silikon

Transistor dalam Dimensi Ke-3

Transistor tri-gate 3D Intel® menggunakan tri-gate yang diintegrasikan dalam saluran silikon dalam struktur 3D, yang memungkinkan penggabungan antara kinerja dan efisiensi energi yang belum pernah ada sebelumnya. Intel merancang transistor tri-gate 3D untuk memberikan manfaat daya ultra-rendah yang unik untuk digunakan pada perangkat genggam, seperti smartphone dan tablet, juga memberikan peningkatan kinerja yang biasanya diharapkan untuk prosesor kelas atas.

Pelajari lebih lanjut tentang teknologi transistor 22 nm Intel ›

Prosesor Intel® Core™ Generasi Ke-3

Diperkenalkan pada akhir tahun 2011, prosesor Intel® Core™ Generasi ke-3 merupakan chip volume tinggi pertama yang menggunakan transistor 3D.