Memori sistem untuk Intel® desktop Board DB65AL

Dokumentasi

Kompatibilitas

000007724

10/06/2020

 

Fitur memori sistem
Board memiliki empat soket DIMM dan mendukung fitur memori berikut:

  • Dua saluran memori terpisah dengan dukungan mode Interleaved
  • Dukungan untuk DIMM non-ECC, unbuffered, satu sisi, atau dua sisi dengan organisasi x8
  • memori sistem Total maksimum 32 GB (dengan teknologi memori 4 GB)
  • Memori sistem Total minimum: 1 GB menggunakan modul 1 GB x8
  • Kehadiran serial mendeteksi
  • DBE DDR3 1333 MHz dan DDR3 1066 MHz SDRAM

Agar dapat sepenuhnya mematuhi semua spesifikasi memori DDR SDRAM yang berlaku, Board harus diisi dengan DIMM yang mendukung struktur data serial Presence detect (SPD). Hal ini memungkinkan BIOS untuk membaca data SPD dan memprogram chipset untuk secara akurat mengonfigurasi pengaturan memori untuk performa optimal. Jika memori non-SPD terinstal, BIOS akan mencoba mengonfigurasi pengaturan memori dengan benar, tetapi performa dan keandalan mungkin terpengaruh atau DIMM tidak dapat berfungsi menurut frekuensi yang ditentukan.

1.5 v adalah pengaturan yang direkomendasikan dan standar untuk tegangan memori DDR3. Pengaturan Voltase memori lainnya pada program pengaturan BIOS disediakan hanya untuk tujuan penyetelan performa. Mengubah tegangan memori dapat (i) mengurangi stabilitas sistem dan masa pakai sistem, memori, dan prosesor; (II) menyebabkan kegagalan prosesor dan komponen sistem lainnya; (III) menyebabkan penurunan kinerja sistem; (IV) menyebabkan panas tambahan atau kerusakan lain; dan (v) memengaruhi integritas data sistem.

Intel belum menguji dan tidak menjamin pengoperasian prosesor di luar spesifikasinya. Untuk informasi tentang garansi prosesor, lihat informasi garansi prosesor.

Konfigurasi memori yang didukung

 

Kapasitas DIMMKonfigurasiDensitas SDRAMOrganisasi SDRAM sisi depan/sisi belakangJumlah perangkat SDRAM
512 MBSatu sisi1 Gbit64 M x 16/kosong4
1 GBSatu sisi1 Gbit128 M x 8/Kosongkan8
1 GBSatu sisi2 Gbit128 M x 16/kosong4
2 GBDua sisi1 Gbit128 m x 8/128 M x 816
2 GBSatu sisi2 Gbit128 M x 16/kosong8
4 GBDua sisi2 Gbit256 m x 8/256 M x 816
8 GBDua sisi4 Gbit512 m x 8/512 M x 816

Memori yang diuji pihak ketiga

Tabel di bawah ini mencantumkan komponen yang lulus pengujian selama pengembangan. Nomor komponen ini mungkin tidak tersedia di seluruh siklus hidup produk.

 

Produsen modulNomor komponen modulUkuran modulKecepatan modulECC atau non-ECCProdusen komponenNomor komponen komponen
HynixHMT112U6BFR8C-G71 GB1066 MHzNon-ECCHynixHMT112U6BFR8C-G7
HynixHMT112U6AFP8C-H91 GB1333 MHzNon-ECCHynixHMT112U6AFP8C-H9
HynixHMT125U7AFP8C-G7T02 GB1066 MHzNon-ECCHynixHMT125U6AFP8C-G7T0
HynixHMT125U6BFR8C-H92 GB1333 MHzNon-ECCHynixHMT125U6BFR8C-H9
HynixHMT351U6AFR8C-G74 GB1066 MHzNon-ECCHynixHMT351U6AFR8C-G7
HynixHMT351U6AFR8C-H94 GB1333 MHzNon-ECCHynixHMT351U6AFR8C-H9
MikronMT8JTF12864AY-1G1D11 GB1066 MHzNon-ECCMikronMT8JTF12864AY-1G1D1
MikronMT8JTF12864AY-1G4D11 GB1333 MHzNon-ECCMikronMT8JTF12864AY-1G4D1
MikronMT16JTF25664AY-1G1D12 GB1066 MHzNon-ECCMikronMT16JTF25664AY-1G1D1
MikronMT16JTF25664AZ-1G4F12 GB1333 MHzNon-ECCMikronMT16JTF25664AZ-1G4F1
MikronMT16JTF51264AZ-1G1D14 GB1066 MHzNon-ECCMikronMT16JTF51264AZ-1G1D1
MikronMT16JTF51264AZ-1G4D4 GB1333 MHzNon-ECCMikronMT16JTF51264AZ-1G4D
SamsungM378B2873DZ1-CF81 GB1066 MHzNon-ECCSamsungM378B2873DZ1-CF8
SamsungM378B2873EH1-CH91 GB1333 MHzNon-ECCSamsungM378B2873EH1-CH9
SamsungM378B5673DZ1-CF82 GB1066 MHzNon-ECCSamsungM378B5673DZ1-CF8
SamsungM378B5673DZ1-CH92 GB1333 MHzNon-ECCSamsungM378B5673DZ1-CH9
SamsungM378B5273BH1-CF84 GB1066 MHzNon-ECCSamsungM378B5273BH1-CF8
SamsungM378B5273BH1-CF94 GB1333 MHzNon-ECCSamsungM378B5273BH1-CF9