Teknologi 22 nm Intel®

Memperkenalkan transistor 3D pertama di dunia yang siap untuk diproduksi dalam volume tinggi

3D, 22 nm: Teknologi Baru Menghasilkan Gabungan Kinerja dan Efisiensi Daya Yang Belum Pernah Ada Sebelumnya

Intel telah menerapkan teknologi yang benar-benar berbeda untuk rangkaian mikroprosesor mendatang: Transistor 3D yang diproduksi dalam 22 nm. Transistor baru ini memungkinkan Intel untuk terus-menerus berusaha melanjutkan upaya Hukum Moore dan untuk memastikan bahwa kecepatan kemajuan teknologi yang diharapkan konsumen dapat berlanjut selama tahun-tahun mendatang.

Sebelumnya, transistor, inti mikroprosesor, merupakan perangkat 2D (planar). Transistor Tri-Gate Intel® 3D, dan kemampuannya untuk diproduksi dalam volume tinggi, menandai perubahan drastis pada struktur dasar chip komputer. Pelajari lebih lanjut tentang sejarah perkembangan transistor.

Ini juga berarti bahwa Intel dapat terus memimpin dalam mendukung produk-produk dari superkomputer tercepat di dunia hingga perangkat genggam yang sangat kecil.

Semakin Kecil Semakin Baik

Ukuran dan struktur transistor sangat penting dalam memberikan manfaat Hukum Moore bagi pengguna akhir. Semakin kecil dan semakin efisien daya transistor, akan semakin baik. Sesuai perkiraan, Intel terus menyusutkan teknologi produksinya dalam serangkaian yang terbaik di dunia: 45 nm dengan high-k/metal gate pada tahun 2007; 32 nm pada tahun 2009; dan sekarang 22 nm dengan transistor 3D pertama di dunia dalam prosesor logika volume tinggi di awal 2011.

Dengan transistor 3D yang lebih kecil, Intel dapat merancang bahkan prosesor yang jauh lebih bertenaga dengan efisiensi daya yang luar biasa. Teknologi baru ini memungkinkan mikroarsitektur inovatif, desain System on Chip (SoC), dan produk baru—dari server dan PC hingga smartphone, dan produk konsumen inovatif.

Transistor dalam Dimensi Ke-3

Transistor tri-gate 3D Intel® menggunakan tri-gate yang diintegrasikan dalam saluran silikon dalam struktur 3D, yang memungkinkan penggabungan antara kinerja dan efisiensi energi yang belum pernah ada sebelumnya. Intel merancang transistor baru untuk memberikan manfaat daya ultra-rendah yang unik untuk digunakan pada perangkat genggam, seperti smartphone dan tablet, juga memberikan peningkatan kinerja yang biasanya diharapkan pada prosesor kelas atas.

Memungkinkan Inovasi Prosesor

Transistor baru tersebut juga sangat efisien pada tegangan rendah yang memungkinkan tim desain prosesor Intel® Atom™ untuk menginovasi pendekatan arsitektur baru bagi mikroarsitektur Intel® Atom™ 22 nm. Desain baru itu secara spesifik memaksimalkan keunggulan teknologi transistor tri-gate 3D rendah daya. Dan, produk SoC mendatang dari Intel yang berbasis pada transistor tri-gate 3D 22 nm akan menembus daya idle di bawah 1 mW—untuk SoC dengan daya yang luar biasa rendah.

Intel Terus Terdepan, Pengguna Terus Beruntung

Diperkenalkan akhir 2011, prosesor Intel® Core™ generasi ke-3 merupakan chip volume tinggi pertama yang menggunakan transistor 3D.

Seiring dengan kepemimpinan Intel dalam server, PC, laptop, dan perangkat genggam dengan teknologi transistor 3D 22 nm, konsumen dan bisnis akan mengharapkan komputer dan grafis yang lebih cepat, dan masa pakai baterai yang lebih lama dalam berbagai faktor bentuk yang ramping.

 

Media Asset with Text Component (RWD)

Video Terkait

Materi Terkait