ID Artikel: 000077104 Jenis Konten: Pemecahan Masalah Terakhir Ditinjau: 11/11/2013

Mengapa tRCD lebih besar dari yang diharapkan dengan pengontrol DDR3 UniPHY saya?

Lingkungan

    Intel® Quartus® II Edisi Berlangganan
    DDR3 SDRAM Controller dengan UniPHY Intel® FPGA IP
BUILT IN - ARTICLE INTRO SECOND COMPONENT
Deskripsi

Anda mungkin melihat penundaan tRCD yang lebih besar dari perkiraan pada pengontrol memori quarter-rate DDR3 UniPHY saat transaksi dihasilkan oleh clock controller, yang berjalan pada seperempat clock rate memori (1 ctl_clk = 4 mem_ck).

Resolusi

Pengontrol memiliki kemampuan untuk mengeluarkan 2 perintah per clock pengontrol, perintah satu baris seperti ACTIVATE atau PRECHARGE dan perintah satu kolom seperti WRITE atau READ. Ketika tRCD adalah 11 yang mengacu pada 11 mem_ck atau 2,75 (11/4) ctl_clk.

Nilai ini dibulatkan ke atas menjadi 3 ctl_clk atau 12 mem_ck. Selain itu, setiap clock pengontrol dapat dibagi menjadi empat fase, satu fase untuk setiap siklus mem_ck yang terjadi per clock kontroler. Pengontrol dirancang untuk mengirim perintah baris selama fase satu dan perintah kolom selama fase tiga dari setiap siklus clock pengontrol. Ini menambahkan tambahan 2 mem_ck penundaan ke tRCD. Untuk contoh ini, penundaan akhir untuk tRCD adalah 12, 2, atau 14 mem_ck.

Produk Terkait

Artikel ini berlaku untuk 15 produk

Stratix® V GS FPGA
Arria® V GZ FPGA
Arria® V SX SoC FPGA
Cyclone® V ST SoC FPGA
Cyclone® V SX SoC FPGA
Cyclone® V GT FPGA
Stratix® V GX FPGA
Stratix® V GT FPGA
Cyclone® V GX FPGA
Arria® V ST SoC FPGA
Arria® V GX FPGA
Arria® V GT FPGA
Cyclone® V SE SoC FPGA
Cyclone® V E FPGA
Stratix® V E FPGA

1

Konten pada halaman ini adalah kombinasi terjemahan manusia dan komputer dari konten asli berbahasa Inggris. Konten ini disediakan untuk kenyamanan Anda dan hanya untuk informasi umum dan tidak boleh dianggap lengkap atau akurat. Jika ada kontradiksi antara versi bahasa Inggris halaman ini dan terjemahannya, versi bahasa Inggris yang akan mengatur dan mengendalikan. Lihat versi bahasa Inggris halaman ini.